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科普
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太陽電池技術入門
作者
:
林明獻 (著)
出版社
:
全華圖書股份有限公司
出版日期
:
2007
閱讀格式
:
PDF
書籍分類
:
科普
;
學術書
學科分類
:
科學類
ISBN
:
9572157868
太陽電池
半導體
非晶矽
多晶矽
單晶矽
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目錄
第1章 太陽電池概論
1.1 我們所知道的太陽
1.2 太陽輻射
1.3 為何太陽能源之利用變得那麼重要?
1.4 太陽能發電的優缺點
1.5 何謂太陽電池?
1.6 太陽電池的發展史
1.7 台灣太陽電池產業的發展
1.8 太陽電池的經濟效益
第2章 太陽電池的基本原理
2.1 基本的光電物理
2.2 矽的原子結構
2.3 半導體的能帶理論
2.4 P-N接合(P-N Junction)
2.5 太陽電池的發電原理
2.6 太陽光的光譜照度
2.7 太陽電池的電路模型
2.8 判別太陽電池效率的參數
2.8.1 最大的功率點
2.8.2 能量轉換效率
2.8.3 填充係數(Fill Factor)
2.8.4 量子效率(Quantum efficiency)
2.9 影響太陽電池效率的因素
2.9.1 造成轉換效率損失原因
2.9.2 提高轉換效率的方法
第3章 多晶矽原料製造技術
3.1 太陽電池材料之選定標準
3.2 矽原料之特性
3.3 多晶矽原料之製造流程(Siemens方法)
3.3.1 冶金級多晶矽原料之製造
3.3.2 三氯矽烷(SiHCl3)的製造與純化
3.3.3 塊狀多晶矽原料的製造:Siemens方法
3.4 塊狀多晶矽原料的製造:ASiMi方法
3.4.1 SiH4原料製造技術
3.4.2 多晶矽原料的製造
3.5 粒狀多晶矽原料的製造
3.6 多晶矽原料之市場概況
第4章 太陽電池級矽單晶片製造技術
4.1 前言
4.2 CZ矽單晶棒之製造
4.2.1 CZ拉晶爐設備
4.2.2 CZ拉晶流程
4.3 太陽電池等級CZ單晶片的常用規格
4.4 CZ單晶棒的品質與良率控制
4.4.1 單晶良率的提升
4.4.2 電阻率的控制
4.4.3 氧在矽晶棒內的形成機構與控制
4.4.4 CZ矽晶棒中碳的形成與控制
4.4.5 CZ矽晶棒中金屬不純物的來源與控制
4.5 晶圓的加工成型
4.5.1 修邊(Ingot Squaring)
4.5.2 切片(Slicing)
4.5.3 蝕刻清洗(Etching and Cleaning)
4.6 矽單晶片之市場概況
第5章 多晶矽晶片之製造技術
5.1 前言
5.2 鑄造多晶矽錠之技術
5.3 多晶矽片之加工成型
5.4 多晶矽片之品質控制
5.4.1 結晶缺陷
5.4.2 不純物之控制
5.5 薄板多晶矽片(Ribbon Silicon)之製造技術
5.5.1 EFG (Edge Defined Film Feed)法
5.5.2 WEB (Dendritic Web)法
5.5.3 STR (String Ribbon)法
5.5.4 RGS (Ribbon Growth on Substrate)法
5.6 矽薄板之品質特性
第6章 結晶矽太陽電池
6.1 前言
6.2 太陽電池基本結構
6.2.1 基板
6.2.2 表面粗糙結構化(Texturing)
6.2.3 P-N二極體
6.2.4 抗反射層(Antireflection Coatings)
6.2.5 金屬電極
6.3 太陽電池之製造流程
6.3.1 表面粗糙結構化(Texturization)
6.3.2 磷擴散製程(Phosphorus diffusion)
6.3.3 邊緣絕緣處理(Edge Isolation)
6.3.4 抗反射層塗佈(ARC Deposition)
6.3.5 正面電極之網印(Front Contact Print)
6.3.6 背面電極之網印(Front Contact Print)
6.3.7 火烤(Cofiring):
6.4 模組化技術
6.4.1 太陽電池的串接
6.4.2 太陽電池模組之構造與製造過程
第7章 薄膜型結晶矽太陽電池
7.1 前言
7.2 薄膜結晶矽之沉積技術
7.2.1 CVD薄膜結晶矽之沉積技術
7.2.2 LPE薄膜結晶矽之沉積技術
7.3 薄膜晶粒之改善技術
7.3.1 ZMR再結晶技術(Zone Melting Recrystallization)
7.3.2 金屬誘發結晶化(Metal-Induced Crystallization,MIC)
7.3.3 退火處理(Annealing)
7.3.4 雷射誘發再結晶(Laser-Induced Recrystallization)
7.4 薄膜型結晶矽之種類
7.4.1 單晶矽薄膜生長在單晶矽基板上
7.4.2 多晶矽薄膜生長在多晶矽基板上
7.4.3 多晶矽薄膜生長在其它材質基板上
7.5 薄膜矽太陽電池設計上之考量
7.5.1 光線的留滯(Light-Trapping)
7.6 混合型(Hybrid)堆疊之薄膜太陽電池
第8章 非晶矽太陽電池
8.1 前言
8.2 非晶矽之原子結構與特性
8.3 非晶矽之沉積技術
8.3.1 PECVD
8.3.2 HWCVD(Hot-Wire CVD)
8.3.3 合金膜的形成
8.4 非晶矽太陽電池之結構
8.4.1 基本的p-i-n結構
8.4.2 多接面太陽電池結構(Multijunction Cell)
8.5 非晶矽太陽電池模組
8.6 非晶矽薄膜之光劣化現象
第9章 III-V族化合物太陽電池
9.1 前言
9.2 III-V族化合物之特性
9.3 III-V族化合物之薄膜生長技術
9.3.1 液相磊晶法(LPE)
9.3.2 化學氣相沉積法(CVD)
9.3.3 有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD)
9.3.4 分子束磊晶法(MBE)
9.4 單一接面太陽電池之設計
9.5 多接面太陽電池之設計
9.6 GaInP/GaAs/Ge太陽電池
9.6.1 Ge電池
9.6.2 GaAs電池
9.6.3 GaInP電池
9.6.4 隧道結(Tunnel Junction Interconnects,TJIC)
9.7 InP基太陽電池
9.8 量子井太陽電池(Quantum Well Solar Cells)
9.9 III-V族太陽電池之應用
9.9.1 熱光伏特系統(thermophotovoltaics,TRV)
9.9.2 聚光系統(concentrator system)
9.9.3 太空應用
第10章 碲化鎘(CdTe)太陽電池
10.1 前言
10.2 CdTe的基本物理性質
10.3 CdTe薄膜的製造技術
10.3.1 物理氣相沉積法
10.3.2 密閉空間昇華法
10.3.3 氣相傳輸沉積法
10.3.4 濺鍍法
10.3.5 電解沈積法
10.3.6 噴塗沉積法
10.3.7 有機金屬化學氣相沉積法
10.3.8 網印沉積法
10.4 CdCl2處理
10.5 CdTe太陽電池之結構
10.6 CdTe太陽電池模組
10.7 CdTe太陽電池之未來發展
第11章 銅銦鎵二硒太陽電池
11.1 前言
11.2 材料特性
11.3 CIGS薄膜製造技術
11.3.1 同步蒸鍍法(Coevaporation)
11.3.2 硒化法(Selenization)
11.4 CIGS太陽電池之結構
11.4.1 背面電極(Back Contact)
11.4.2 吸收層(Absorber Layer)
11.4.3 緩衝層(Buffer Layer)
11.4.4 透明導電氧化層(Transparent Conducting Oxide)
11.4.5 正面金屬電極
11.5 CIGS太陽電池模組
11.6 CIGS太陽電池的未來發展
第12章 染料敏化太陽電池
12.1 前言
12.2 染料敏化太陽電池的基本結構
12.2.1 玻璃基板
12.2.2 TiO2光導電極
12.2.3 染料光敏化劑(Dye-Photosenitizer)
12.2.4 電解質(Electrolyte)
12.2.5 輔助電極(Counter Electrode)
12.3 染料敏化太陽電池的發電原理
12.4 染料敏化太陽電池的特性
12.5 染料敏化太陽電池模組化之考量
12.6 染料敏化太陽電池的發展趨勢
第13章 太陽光電系統與應用
13.1 前言
13.2 太陽光電系統之組成
13.2.1 蓄電池(Battery storage)
13.2.2 充電控制器(Charge Controller)
13.2.3 直/交流轉換器(Inverter)
13.3 太陽光電系統之種類與應用
13.3.1 獨立型(off-grid或stand-alone)太陽光電系統
13.3.2 市電併聯型(Grid-Connected)太陽光電系統
13.3.3 混合型(Hybrid)太陽光電系統
13.4 太陽光電系統在太空上的應用
附錄 本書編寫時之參考資料
詳細資訊
國際計量
出版地
:
臺灣
語言
:
繁體中文
太陽電池技術入門
評分與評論
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